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北方華創微電子全麵進入14nm時代

世界範圍內集成電路產業發展突飛猛進,工藝製程向更加精細化的方向發展,這對工藝設備提出了更嚴苛的挑戰。隨著北方華創28納米工藝設備陸續實現商用化,14納米工藝設備開發也取得了突破性進展。由北方華創微電子自主研發的應用於14nm先進製程的等離子矽刻蝕機、單片退火係統已正式進入集成電路主流代工廠並獲得訂單,LPCVD(低壓氣相沉積)和Hardmask PVD(硬掩膜沉積)設備也已獲得集成電路主流代工廠訂單即將進入生產線。可以說,北方華創微電子已全麵進入14nm時代!

14納米集成電路製造技術是目前中國大陸最先進的半導體工藝製造技術,自14nm(包括14nm)之後,采用FinFET3D結構工藝已成為主流技術。14納米FinFET是一種新型多柵3D晶體管,和傳統的平麵型晶體管相比,FinFET器件具有更顯著的功耗和性能優勢,14nm FinFET 3D工藝引入了截然不同的工藝流程,這對其流程中的關鍵製造設備帶來了更高的挑戰!北方華創微電子14納米製程設備陸續進入集成電路主流代工廠不僅展示了中國集成電路裝備技術的不斷進步,也預示著中國集成電路產業即將邁入全新的14nm技術時代。

作為中國自主開發集成電路高端製造裝備的先行者,北方華創微電子不斷深耕發展,開拓創新,致力於為集成電路、先進封裝、半導體照明、微機電係統、平板顯示等領域提供先進工藝裝備及解決方案。堅持以客戶需求為導向的持續創新!持續推動產業進步,帶給產業無限可能!

北方華創微電子應用於14nm先進製程的設備簡介:

——北方華創微電子NMC 612D 14nm FinFET刻蝕機。該設備以全新的設計理念來實現14nm FinFET刻蝕工藝的要求,采用了新開發的同步脈衝等離子技術,通過對等離子體的實時控製和診斷來實現低損傷和高選擇比,采用多區ESC以獲得更高的CD均勻性,增加高溫上電極的設計來降低缺陷,增大Throughput。

——北方華創微電子Booster A630 plus 單片退火係統。在28納米技術基礎上,通過設計優化,大幅提高了係統潔淨度,提升了機台的可靠性。BoosterA630 plus 單片退火係統具備雙模加熱、升溫速率高、溫度均勻性好及產能大等特點。

——北方華創微電子 THEORIS D302 14nm POLY立式爐設備。該設備采用了優秀的腔體結構設計以獲得更好的工藝性能; 開發原位清洗技術,實現機台的低維護時間;並通過100-125 Wafer/Batch的高產能設計,增大Throughput。全新的產品結構設計滿足14nm FinFET dummy polygate工藝的要求。

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